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코스텍시스, 전기차 SiC 전력반도체용 고방열 스페이서 개발
코스텍시스, 전기차 SiC 전력반도체용 고방열 스페이서 개발
  • 박광하 기자
  • 승인 2023.01.25 13:58
  • 댓글 0
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국내외 대기업 시제품 납품
향후 수요 대비 시설투자 진행
[사진=코스텍시스]
[사진=코스텍시스]

[정보통신신문=박광하기자]

차세대 전력반도체 및 통신 분야의 저열팽창 고방열 소재 전문기업 주식회사 코스텍시스(대표이사 한규진)가 차세대 차량용 SiC 전력반도체 고방열 스페이서를 개발해 국내외 기업에 시제품 납품 중이라고 25일 밝혔다.

코스텍시스는 기존 차량용 전력반도체인 실리콘(Si) 반도체를 대체할 수 있는 차세대 차량용 전력반도체인 탄화규소(SiC) 반도체와 갈륨나이트라이드(GaN) 반도체의 고방열 스페이스를 개발했다.

현재 현대자동차와 LG마그나에 시제품을 지속 납품하고 있다.

기존 전력반도체의 대부분을 차지하고 있는 실리콘 반도체는 동작 온도가 약 150도 이상이 되면 반도체로서의 기능을 상실한다. 이런 단점을 보완하기 위해 주목받는 차세대 반도체가 SiC 반도체와 GaN 반도체다.

SiC와 GaN 반도체는 물질 특성이 우수해 실리콘 반도체와 달리 섭씨 150도 이상의 고온에서도 동작이 가능하다. 반도체 칩은 열팽창이 작고 일반적인 구리기판은 열팽창이 커서 칩이 실장된 솔더가 견디지 못하고 크랙(Crack)이 생기고 이로 인해 반도체는 기능을 잃게 되고 폭발이나 화재로도 이어질 수 있다. 이의 대책으로 SiC, GaN 반도체에서 필연적으로 고려되고 있는 것은 반도체와 같이 열팽창이 적으면서도 열전도율이 좋은 방열소재로 칩 실장 기판의 써멀 매칭(Thermal Matching)이다.

코스텍시스는 SiC, GaN 반도체와 써멀 매칭이 최적화된 저열팽창 고방열 소재 개발에 성공한 후 5G 통신용 GaN 반도체의 RF(Radio Frequence) 패키지를 개발해 글로벌 반도체 기업인 NXP 사를 비롯해 국내외 많은 기업에 공급하고 있다.

최근 NXP에서 5G 통신용 GaN 반도체의 RF 패키지의 수주가 본격화와 향후 차량용 고방열 스페이서의 수요를 대비해 양산 관련 대량 생산 시설 투자를 진행 중이다.

한규진 코스텍시스 대표이사는 "최근 SiC, GaN 반도체가 실리콘에 비해 뛰어난 장점들로 인해 차세대 전력 반도체로서 각광받고 있다"며 "코스텍시스는 일본 등 선진사로부터 수입에 의존하던 SiC, GaN 반도체의 필수 재료인 저열팽창 고방열소재 국산화에 성공해 글로벌 제품 경쟁력까지 확보했으며, 향후 차세대 전력반도체의 고성장에 맞춰 국내외 시장을 적극 공략해 중장기적인 성장 동력을 만들어 가겠다"고 전했다.

한편, 코스텍시스는 교보10호기업인수목적 주식회사와 스팩합병 상장을 추진하고 있다.



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