[정보통신신문=서유덕기자]
텍사스 인스트루먼트(TI)가 텍사스주 셔먼에 건설하는 새로운 300밀리미터(㎜) 반도체 웨이퍼 제조 공장 착공식을 개최했다고 밝혔다. 고위 관리들과 지역 인사들이 참석한 착공식에서, 리치 템플턴 텍사스 인스트루먼트 회장 겸 사장 겸 CEO는 텍사스주 역사상 최대 규모에 이르는 민간 부문 투자가 개시된 것을 축하하며, 장기적인 관점에서 자사의 자체 제조 역량을 강화하겠다는 의지를 거듭 강조했다.
착공식에 참석한 템플턴 회장은 “오늘 신규 공장 착공은 향후 수십 년에 걸쳐 고객들의 수요에 대비해 반도체의 미래 성장을 위한 초석을 마련하는 중요한 이정표가 될 것”이라며 “90년전 창립 당시부터 지금까지 TI는 반도체를 통해 더 합리적인 가격의 전자 제품을 만들어 더 나은 세상을 만들고자 하는 열정과 함께 발전해 왔으며, 셔먼에 건설하는 첨단 300㎜ 반도체 팹이 바로 이러한 노력의 일환이다.”라고 말했다.
300억달러(한화 약 38조원)에 이르는 잠재적 투자 가치를 지닌 이번 투자에는 미래 반도체 시장의 수요를 충족하기 위한 4개의 팹 건설 계획이 포함돼 있으며, 3000개에 이르는 직접적인 일자리를 창출할 것으로 기대된다. 새로운 팹에서는 다양한 전자제품에 사용할 수 있도록 매일 수천만 개의 아날로그·임베디드프로세싱 칩이 생산될 예정이다.
데이비드 플라일러 셔먼 시장은 “오늘 이 착공식은 반도체 생산의 새 시대를 여는 것이며, 우리 지역에 막대한 경제적 기회를 창출하고 삶의 질 향상에도 기여할 것”이라며 “셔먼 지역에 대한 TI의 장기적이며 지속적인 투자에 감사하며 앞으로도 계속해서 협력을 이어 가길 바란다”고 말했다.
셔먼에 건설되는 TI의 첫 번째 팹은 2025년 가동에 들어간다. 셔먼의 새로운 팹들은 텍사스주 댈러스의 DMOS6, 텍사스주 리차드슨에 위치한 RFAB1, 곧 완공돼 올해 말부터 생산이 시작될 리차드슨 소재의 또 다른 팹 RFAB2를 포함한 TI의 기존 300㎜ 반도체 팹을 보완할 예정이다. 또 유타주 레히에 위치한 LFAB은 2023년 상반기에 생산을 시작할 것으로 예상된다. 템플턴 회장은 “장기적 제조 역량 강화를 위한 투자는 TI의 가격 경쟁력을 더욱 공고히 하고 공급망 관리 능력을 높여 줄 것”이라고 말했다.
