[정보통신신문=서유덕기자]

SK하이닉스가 현존 최고층 238단 낸드 개발에 성공했다고 3일 발표했다.

SK하이닉스는 최근 238단 512기가비트(Gb) 트리플 레벨 셀(TLC) 4D 낸드플래시 샘플을 고객에게 출시했고, 내년 상반기 양산에 들어간다는 계획이다. 회사 측은 “2020년 12월 176단 낸드를 개발한 지 1년 7개월 만에 차세대 기술개발에 성공했다”며 “특히 이번 238단 낸드는 최고층이면서도 세계에서 가장 작은 크기의 제품으로 구현됐다는 데 의미를 둔다”고 밝혔다.

SK하이닉스는 이날 미국 산타클라라에서 개막한 ‘플래시 메모리 서밋(FMS) 2022’에서 신제품을 공개했다. FMS는 매년 미국 캘리포니아 주 산타클라라에서 열리는 낸드플래시 업계 세계 최대 규모 컨퍼런스다.

행사 기조연설에 나선 최정달 SK하이닉스 NAND 개발 담당 부사장은 “당사는 4D 낸드 기술력을 바탕으로 개발한 238단을 통해 원가, 성능, 품질 측면에서 글로벌 톱클래스 경쟁력을 확보했다”며 “앞으로도 기술 한계를 돌파하기 위해 혁신을 거듭해 나갈 것”이라고 강조했다.

SK하이닉스는 지난 2018년 개발한 낸드 96단부터 기존 3D를 넘어선 4D 구조를 적용해왔다. 4차원 구조로 칩이 구현되는 4D를 만들기 위해 기술진은 차지 트랩 플래시(CTF)와 페리 언더 셀(PUC) 기술을 적용했다. CTF는 전하를 도체 대신 부도체에 저장해 셀 사이의 간섭 문제를 해결한 기술이고, PUC는 셀 작동을 관장하는 주변부 회로(페리)를 셀 회로 하단부에 배치한 기술이다. 이들은 4D 낸드의 핵심 기술로, 단위당 셀 면적을 줄이고 생산 효율을 높이는 데 기여한다.

이번 238단은 단수가 높아진 것은 물론, 세계 최소 사이즈로 만들어져 이전 세대인 176단 대비 생산성이 34% 높아졌다. 이전보다 단위 면적당 용량이 커진 칩이 웨이퍼당 더 많은 개수로 생산되기 때문이다.

이와 함께 238단의 데이터 전송 속도는 초당 2.4Gb로 이전 세대 대비 50% 빨라졌다. 또, 칩이 데이터를 읽을 때 쓰는 에너지 사용량이 21% 줄어, 전력소모를 절감한다.

SK하이닉스는 PC 저장장치인 클라이언트SSD에 들어가는 238단 제품을 먼저 공급하고, 이후 스마트폰용과 서버용 고용량 SSD 등으로 제품 활용 범위를 넓혀간다는 계획이다. 이어 내년에는 현재의 512Gb보다 용량을 2배 높인 1테라비트(Tb) 제품도 선보일 예정이다.

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