[정보통신신문=서유덕기자]

SK하이닉스는 26일 실적발표회를 열고, 올해 3분기 매출 9조662억원, 영업손실 1조7920억원(영업손실률 20%), 순손실 2조1847억원(순손실률 24%)의 경영실적을 냈다고 발표했다.

SK하이닉스 측은 “고성능 메모리 제품을 중심으로 시장 수요가 증가하면서 회사 경영실적은 지난 1분기를 저점으로 지속적으로 개선되고 있다”며 “특히 인공지능(AI)에 적합한 고대역폭메모리 HBM3, 고용량 DDR5와 함께 고성능 모바일 D램 등 주력제품들의 판매가 호조를 보이며 전분기 대비 매출은 24% 증가하고 영업손실은 38% 감소했다”고 설명했다.

이어 “무엇보다 올해 1분기 적자로 돌아섰던 D램이 2개 분기 만에 흑자 전환한 데 의미를 두고 있다”고 덧붙였다.

매출 회복 추세에 관해 SK하이닉스는 D램과 낸드 모두 판매량이 늘어난 것은 물론 D램 평균판매가격(ASP) 상승이 주효했다고 분석했다.

제품별로 보면, D램은 AI 등 고성능 서버용 제품 판매 호조에 힘입어 2분기 대비 출하량이 약 20% 늘어났고, ASP 또한 약 10% 상승했다. 낸드도 고용량 모바일 제품과 솔리드스테이트드라이브(SSD) 중심으로 출하량이 늘었다.

흑자로 돌아선 D램은 생성형 AI 붐과 함께 시황이 지속해서 호전될 전망이다. 적자가 이어지고 있는 낸드도 시황이 나아지는 조짐이 서서히 나타나고 있어 회사는 전사 경영실적의 개선 추세를 이어가기 위해 만전을 기하겠다는 입장이다.

SK하이닉스는 올 하반기 메모리 공급사들의 감산 효과가 가시화되는 가운데 재고가 줄어든 고객 중심으로 메모리 구매 수요가 창출되고 있으며 제품 가격도 안정세에 접어들고 있다고 시장 상황을 진단했다.

이런 흐름에 맞춰 HBM과 DDR5, LPDDR5 등 고부가 주력제품에 대한 투자를 늘릴 방침이다. SK하이닉스는 D램 10나노 4세대(1a)와 5세대(1b) 중심으로 공정을 전환하는 한편, HBM과 TSV 투자를 확대할 계획이다. TSV는 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 패키징 기술로, 차세대 메모리 공정 기술로 주목받고 있다.

김우현 SK하이닉스 최고재무책임자(CFO) 부사장은 “당사는 고성능 메모리 시장을 선도하면서 미래 AI 인프라의 핵심이 될 회사로 탄탄하게 자리매김하고 있다”며 “앞으로 HBM, DDR5 등 당사가 글로벌 수위(首位)를 점한 제품들을 통해 기존과는 다른 새로운 시장을 창출해낼 것이며, 고성능 프리미엄 메모리 1등 공급자로서의 입지를 지속 강화해 나가겠다”고 말했다.

이처럼 하반기부터 메모리 업계 감산 효과가 본격화하고 수요 또한 개선 움직임을 보여 실적 개선이 관측되는 가운데, SK하이닉스의 전사 영업익 흑자 전환 시점에 세간의 관심이 모인다.

증권가에서는 하반기 들어 가격·수요 상승이 본격 나타난 만큼 내년 1분기에는 흑자 전환이 가능할 것으로 내다보고 있다.

김광진 한화투자증권 연구원은 “4분기에는 D램과 낸드 ASP의 동시 상승으로 적자 폭이 크게 축소될 전망”이라며 “2024년 1분기 전사 흑자 전환이 기대된다”고 분석했다.

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