양자효과를 이용한 초고속 통신시스템의 핵심부품인 멀티플렉서 집적회로(IC)가 개발됐다.
카이스트(총장 서남표, www.kaist.ac.kr) 전자전산학과 양경훈 교수팀은 교육과학기술부 21세기프론티어연구개발사업 중 테라급나노소자개발사업(단장 이조원)의 지원을 받아, 양자 효과 소자인 공명 터널 다이오드(RTD: Resonant Tunneling Diode)를 이용해 초고속 통신 시스템의 핵심부품인 40Gb/s급 멀티플렉서IC 개발에 성공했다고 밝혔다.
상온에서 동작하고 기존 소자와 호환이 가능한 공명 터널 다이오드에 2㎛급 소자 공정기술을 적용해 자체 개발한 이 집적회로는 세계최초로 양자 효과를 이용한 초고속 멀티플렉서로서 나노 전자소자 기술의 실용화 가능성을 제시한 것으로 평가된다.
기존 차세대 40Gb/s급 이상 통신시스템의 핵심부품은 과도한 전력소모가 문제점으로 지적돼 왔다.
이에 연구팀은 디지털 신호를 자체적으로 저장하고 빠른 신호처리가 가능한 공명터널 다이오드 고유의 부성 미분저항특성(NDR: Negative Differential Resistance)을 이용, 소자 수는 반으로 줄이고 전력소모 또한 4분의 1로 줄이면서 40Gb/s급 이상에서 동작하는 저전력 초고속 멀티플렉서 집적회로를 개발했다.
이번 연구결과는 오는 8월 18일 미국 알링턴에서 열리는 세계적 나노기술 학회인 'IEEE 나노테크놀로지(IEEE International Conference on Nanotechnology)'와 8월 27일 우리 나라에서 열리는 '나노 코리아 2008'에서 발표될 예정이다.
